D’’étroits nanorubans pour des transistors au graphène

Des chercheurs sont parvenus pour la première fois à faire croître à l'aide d'une méthode chimique simple des rubans de graphène de quelques nanomètres de large seulement sur des surfaces préparées à cet effet. Les rubans de graphène sont considérés comme des candidats très prometteurs pour des applications électroniques car il est possible de faire varier leurs propriétés selon leur largeur et la forme de leurs bords. Les transistors au graphène sont considérés comme les successeurs possibles des transistors au silicium actuellement courants. Formés de couches bidimensionnelles de carbone, le graphène possède de nombreuses propriétés assez extraordinaires: il n'est pas seulement plus dur que le diamant, extrêmement résistant à la traction et imperméable aux gaz mais encore aussi un excellent conducteur électrique et thermique. Toutefois comme le graphène est un semi-métal, il ne possède pas, au contraire du silicium, de bande interdite et donc pas non plus de fonction de commutation qui est LA condition essentielle pour des applications électroniques. Des chercheurs ont maintenant développé un nouveau procédé pour produire des rubans de graphène possédant une bande interdite. Des rubans de graphène extrêmement étroits Jusqu'ici pour obtenir des rubans de graphène, on 'découpait' des couches de graphène un peu à la manière dont on découpe les nouilles dans une pâte étalée.