Puce électronique en molybdénite

Nouveau matériau très prometteur, la molybdénite permet de dépasser les limites physiques du silicium. Des chercheurs le prouvent en réalisant un premier circuit intégré avec des transistors plus petits et moins gourmands en électricité. Après avoir mis les vertus électroniques de la molybdénite en lumière, des chercheurs de l'EPFL font le pas décisif suivant. Le Laboratoire d'électronique et structures à l'échelle nanométrique (LANES) a réussi à créer un circuit intégré avec des transistors composés de ce minéral. Un essai qui confirme que ce nouveau matériau peut dépasser les limites physiques du silicium en matière de miniaturisation, de consommation et de souplesse mécanique. 'Nous avons créé un premier prototype mettant deux à six transistors en série et démontré que des opérations de logique binaire basiques étaient possibles, ce qui prouve que nous pourrons réaliser des circuits plus importants', explique Andras Kis, responsable du laboratoire. Au début de l'année, ce laboratoire avait dévoilé le haut potentiel du sulfure de molybdène (MoS2), un minéral que l'on trouve en grande quantité à l'état naturel. Sa structure et ses propriétés de semi-conducteur en font un matériau idéal pour la réalisation de transistors. Il concurrence ainsi directement le silicium, composant le plus utilisé dans le domaine de l'électronique, et aussi en plusieurs points le graphène. Trois atomes d'épaisseur